1、基础部分：
a.聚合物的定义：聚合物是由大量称之为单体的小分子连在一起形成的大分子，把这些单体连在一起所涉及的工艺称之为聚合，长分子链包括氧、氢、氮、碳、硅、氯、氟和硫等；
b.聚合物的类型：
■加聚物和缩聚物；
■线型、支化、晶体、非晶体、液晶共聚物、橡胶及聚合物合金；
■橡胶、热固性、热固性
c. 合成方式:本体聚合（MWD较宽）、溶液聚合、乳液聚合（MWD较窄）、悬浮聚合（MWD相对窄）。 MWD-分子量分布；
d.相关术语：
■塑料术语：B阶、NEMA标准、pH值、包封、表面电阻率、玻璃化转化点、薄膜粘接剂、储存寿命、触变、促进剂、催化剂、弹性模量、弹性体、低温流动（蠕变）、电容、电阻率、放热反应、放热曲线、工作寿命、功率因子、固化剂、固化时间、固化、灌注、化合物、加速剂、交联、介电常数（介电系数或电容率）、介电功率因子、介电强度、介电损耗角（介质相差）、介电损耗因子（介电损耗指数）、介电损耗、介电系数、介电相角、浸渍、晶态熔点、聚合、聚合物、绝缘电阻、抗弯模量、抗弯强度、老化、硫化、洛氏硬度、埋置、模塑、耐潮性、耐电弧性、耐电强度（介电强度或击穿强度）、粘度、凝胶、膨胀系数、起泡剂、热变形点、热导率、热封、热固性树脂、热熔粘接剂、热塑性树脂、溶剂、润湿、邵氏硬度、适用期、树脂、水解、塑料、损耗因子（损耗正切、近似功率因子）、碳氟化合物、体积电阻率（比绝缘电阻）、填料、烃、涂覆、维卡软化温度、吸湿、吸水率、橡胶、抑制剂、应变、应力、硬化剂、有机物、增韧剂、增塑剂、粘接剂、粘结强度、直接粘接、注塑；
■电绝缘性能术语：介电强度（数值越高绝缘性越好）、电阻和电阻率（数值越高绝缘性越好）、介电常数（对高频或功率用途，较低的介电常数最好）、功率因子和损耗因子（数值越低越好，表明系统的效率高，损耗小）、耐电弧性（越高越好）、相对击穿指数（CTI）； 全文 »

1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋转的荷负电的电子组成（Neils Bohr于1913年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键；
2、真空管（电子管）：
a.真空管问世于1883年Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903年英格兰的J.A.Fleming发现了真空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极；
b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906年美国发明家Lee DeForest在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能；
c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使用中退出；
3、半导体理论：
a.在IC芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）；
b.二极管（一个p-n结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止；
c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的p-n结组合成一个器件，导致了晶体管的出现，晶体管是一种能够放大信号或每秒开关电流几十亿次的器件。最初的器件使用点接触穿入鍺半导体本体，随后的晶体管使用鍺作为半导体的结（双极）型晶体管，鍺这种半导体材料后来被硅所代替；（基极B  发射极E  集电极C） 全文 »

书名:电子封装材料与工艺(原著第3版)/电子封装技术丛书
《ELECTRONIC MATERIALS AND PROCESS HANDBOOK》
ISBN:750257979
作者:(美)查尔斯A.哈珀 CHARLES A.HARPER
出版社:化学工业出版社

内容提要

日前中国已成为世界第三大电子信息产品的制造国，众多世界著名电子公司的大量一级、二级封装正在转入我国生产。了解电子封装的新理论、新材料和新工艺已经成为电子工业相关工作者的迫切要求。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》译自美国McGraw-Hill公司2004年出版《ElectronicMaterials nd Processes Handbook》 (第3版)，汇集了国际上近几年最新的电子封装材料与工艺。
《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》由工作在电子封装第一线的各方面专家编写,内容涉及电子封装及相关领域的材料与工艺,包括半导体、塑料、橡胶、复合材料、陶瓷和玻璃以及金属等各种材料，也包括电子封装和组装的软钎焊、电镀与沉积金属涂层、印制电路板制造、混合微电路与多芯片模块的材料和工艺、电子组件中的粘接剂、下填料和涂层以及热管理材料及系统等各种工艺技术，较充分反映了当前电子封装各方面的先进材料与工艺，不仅理论分析充分，而且有丰富的实践经验总结，是关于电子封装材料和工艺的较为全面而实用的工具书。为便于读者查阅，书后附有术语索引，并配有英文对照，以便于对专业术语的规范和理解。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》对从事电子封装及相关行业的科研、生产、应用工作者都会有较高的使用价值，对高等院校相关专业的师生也具有一定的参考价值

目录

第1章集成电路芯片的发展与制造
11简介
12原子结构
13真空管
14半导体理论
141二极管
142结型双极晶体管
143场效应晶体管
144结型场效应晶体管
145金属氧化物半导体场效应晶体管
146互补型金属氧化物半导体场效应晶体管
15集成电路基础
16集成电路芯片制造
161晶锭的生长与晶圆片的制备
162洁净度
163集成电路制造
参考文献
第2章塑料、橡胶和复合材料 全文 »

【基本信息】

【内容简介】

【目录信息】

译 者 序

第一章《半导体工业》

第二章 半导体材料和工艺化学品

第三章 晶圆制备

第四章 芯片制造概述

第五章 污染控制

第六章 工艺良品率

第七章 氧化

第八章 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光

第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

第十章 高级光刻工艺

第十一章 掺杂

第十二章 淀积

第十三章 金属淀积

第十四章 工艺和器件评估

第十五章 晶圆加工中的商务因素

第十六章 半导体器件和集成电路的形成

第十七章 集成电路的类型

第十八章 封 装

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钽电容器分类
片式钽电解电容器CA45(SMD)
端帽式钽电容器CA459(conformal-coated)
聚合物钽电容器(SMD POS-CAP)
插脚钽电解电容器CA42(DIP)
轴向钽电解电容器(AXIAL)
1.固体型CA(metal-cased)
2.液体型CA30(wet tan)

钽电容器生产商
日本
NEC、ELNA、NICHICON、HITACHI、PANASONIC   松尾电子

欧美
AVX、KEMET、EPCOS、NIC   安施电子（天津）有限公司
韩国
SAMSUNG、PARTSNIC  大宇 威世
中国
宁夏星日电子、振华科技星云电子、风华高科肇庆利华电子、深圳容电等

其他电容器生产厂商： 全文 »

        公司最近在开发片式钽电解电容和片式铝电解电容阴极粘接用的导电银胶，所以通过老牛下书的软件在网上找了一些与电容器有关的资料学习，所找到的资料均上传在电子胶水论坛的相应版块“电容电阻电感二三极管封装胶水及材料”—http://www.r4e.cn/bbs/forum-77-1.html，有兴趣了解的朋友可以直接去那里看看，走马观花似的看了一遍，大致总结如下：
1、电容器的定义：
顾名思意，可以作这样的形象理解：所谓电容器（capacitor）就是能够储存电荷的“容器”。只不过这种“容器”是一种特殊的物质——电荷 （charge），而且其所存储的正负电荷等量地分布于两块不直接导通的导体板上。至此，我们就可以描述电容器的基本结构：两块导体板（通常为金属板）中 间隔以电介质（dielectric）。即构成电容器的基本模型
2、电容器的分类：
（1）按结构及电容器是否能调节分：有固定电容器、可变电容器和半可变电容器．
（2）按介质材料的不同分：
■有机介质电容器(包括漆膜电容器、混合介质电容器、纸介电容器、有机薄膜介质电容器、纸膜复合介质电容器、聚酯（涤纶）电容（CL）、聚苯乙烯电容（CB）、聚丙烯电容（CBB）等);
■无机介质电容器(包括陶瓷电容器、高频瓷介电容（CC）、低频瓷介电容（CT）、云母电容器CY、玻璃膜电容器、玻璃釉电容器CI等);
■电解电容器(包括铝电解电容器、钽电解电容器CA、铌电解电容器CN、钛电解电容器及合金电解电容器等)，此类电容器有极性；
■气体介质电容器(包括空气电容器、真空电容器和充气电容器等)．
（3）按作用及用途的不同分： 全文 »

前言及序言（点击链接查看之）——————————–1
第1章    半导体工业————————————–2—3
第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5
第3章    晶圆制备——————————————-6
第4章    芯片制造概述————————————7—8
第5章    污染控制—————————————9—10
第6章    工艺良品率————————————11—12
第7章    氧化——————————————13—14
第8章    基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光————15—17
第9章    基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验————18—20
第10章    高级光刻工艺———————————21—23
第11章    掺杂—————————————–24—26
第12章    淀积—————————————–27—29
第13章    金属淀积————————————-30—31
第14章    工艺和器件评估——————————-32—33
第15章    晶圆加工中的商务因素————————-34—35
第16章    半导体器件和集成电路的形成———————–36
第17章    集成电路的类型——————————-37—38
第18章    封装—————————————–39—41
个人感慨—————————————————41
全文 »

1、影响封装工艺的芯片特性：
a.集成度、晶片厚度、尺寸、对环境的敏感度、物理的脆弱度、热的产生、热敏感度；
b.影响封装工艺的环境和物理因素可以从两个方面来阐述，第一是临近晶片制造工艺结尾处的钝化层淀积（主要是氧化硅和氮化硅及掺杂一些硼、磷或两者兼备），第二种保护芯片的方法就是提供一个封装体；
c.封装设计要考虑散热的因素，热同样也是封装工艺中的一项重要参数，封装工艺的耐热极限是450度；
2、封装功能和设计：
a.紧固的引脚系统
b.物理性保护
c.环境性保护
d.散热
3、封装操作工艺概述：
a.洁净度和静电控制
■HEPA过滤器/VLF空气、面罩帽子和鞋套、指套或手套、过滤的化学品、粘着地垫
■接地的静电腕带、静电服、防静电材料、设备接地、工作平台接地、地板接地
b.基本工艺流程
底部准备、划片、取片和承载、检查、粘片、打线、封装前检查、封装、电镀、切筋成型、印字、最终测试
c.常用的封装件
■芯片的粘贴区域
■内部和外部的引脚
■芯片-封装体的连接
■封装（密封性、非密封性/弱密封性） 全文 »

1、大多数电路按其特定的设计原理和功能可以分成三种基本类型：逻辑电路、存储电路和微处理器（逻辑与存储），电路的多样性主要来自于大量特殊用途参数的转变；
2、电路基础：在电路中，数字由二进制码来编码、存储和操作，这都是因为电容可以通过充电得到一个电荷或没有电荷，晶体管也可以开或关，电路中记录信息的最小单位称为“二进制数”或“位”，8位称为一个字节；
3、集成电路的类型：
a.逻辑电路：
■模拟-数字逻辑电路
■模拟逻辑电路
RTL  电阻器-晶体管逻辑
DTL  二极管-晶体管逻辑
TTL  晶体管-晶体管逻辑
ECL  发射极-耦合电路
DCTL 直接-耦合晶体管逻辑
I2L  集成注入晶体管逻辑
■定制-半定制逻辑
全定制
标准电路-定制门形式
标准电路-选择连线门阵列
可编程的阵列逻辑（PAL） 全文 »

1、胶粘接头的强度和适用性主要源于胶黏剂和被粘分子间的相互作用力，两种粘接物体之间在原子尺度上的相互作用力能够产生搞的粘结强度；
2、粘结强度的理论值与测定值之间缺乏统一性的原因在于，获得高的粘接强度的过程受到一系列在胶粘接头形成过程中伴生的因素的阻碍，这些降低胶粘接头强度的因素可分为下列两类：在胶黏剂和被粘物之间边界处弱相互作用层、胶粘接头的内应力；
3、当被粘物表面未被胶粘剂充分润湿或有外来杂质时就会形成弱相互作用层，杂质可能来源于空气、被粘物或胶粘剂（气体、蒸气、油脂、氧化膜、低分子量物质-增塑剂、软化剂、稳定剂、残留单体及其他添加剂）；
4、许多类型胶粘剂的粘结强度取决于固化催化剂以及聚合反应引发剂的种类和用量，其原因是胶粘剂界面的固化程度不同；
5、不同类型的被粘物会影响聚合物的玻璃化转变温度，主要是由于不同被粘物的表面能高低所影响的；
6、在高能被粘物表面使用环氧树脂胶粘剂，可形成固化不完全的聚合层，当粘接低能表面时虽未有固化不完全的聚合物层，但会由于胶粘剂对被粘物的润湿性差而难以达到高的粘结强度； 全文 »