前日在学习Underfill Roadmap—By Namics资料时碰到一个Low-K的概念，不甚了解，后来在网上查实了一下，就转了这篇文章过来了：
Low-K技术最初由IBM开发，当时的产业大背景是——随着电路板蚀刻精度越来越高，芯片上集成的电路越来越多，信号干扰也就越来越强，所以IBM致力于开发、发展一种新的多晶硅材料。IBM声称，Low-K材料帮助解决了芯片中的信号干扰问题。而Intel的目的是使用低介电常数的材料来制作处理器导线间的绝缘体。这种材料可以很好地降低线路间的串扰，从而降低处理器的功耗，提高处理器的高频稳定性。在Intel的产品开发中Northwood应该就已经受福于Low-K技术了。不过，现在的Low-K技术已经不是Northwood时代的Low-K技术了，记得我以前在一个帖子就曾经强调过，硬件发展在三大技术——晶圆切割技术、电路板蚀刻技术和晶体管的纳米级别的集成技术，这三大技术的快速发展而带来空前活力的同时，我们应该可以预见到越来越高的频率、越来越大的功耗和越来越夸张的发热。所以，我觉得Low-K技术将人们的关注重点再一次转移到了材料科学上，而这才是真正针对处理器高频率低稳定高热量这个当前最大难题的治本的办法，尽管事实上，当前的Low-K技术还不足以解决这些问题。 全文 »
书名：聚合物的粘接作用
ISBN：7502558187
作者： 乌克兰 法西罗夫斯基 Veselovsky Roman A. 著
出版社：北京 : 化学工业出版社
年份：2004
页数和开本： 295页 ; 23cm
丛编项：国外胶黏剂丛书
题名：Adhesion of Polymers
主题：高聚物(7) > 胶粘剂(1)
中图分类号：化学工业
内容介绍:
由美同McGraw—Hill公司2002年出版的“Adhesion Polymers”一书(英语)系出乌克兰科学院院士R．A．法西罗大斯是及V．N．凯斯特尔曼所著。他们在材料科学的理论研究及实际应用方面取得了极其丰硕的成果，对于合成胶粘剂的系统理论研究及其在工业、医学等重要领域的开拓应用更是人们所十分瞩目的。他们发表了很多具有影响力的学术专著利论文，拥有大量专利，显示了他们较深的学术造诣。本书最大特点是结合他们长期研究的经验系统地进行了理论阐述。对胶粘接头的形成规律；不同胶黏剂类型组成、添加剂及不同介质环境等对胶粘接头性质的影响；内应力的产生及消除；填充聚合物、共混物和浸渍材料的粘校性质；控制胶粘接头强度及其性质的理论假说和判据等重要议题作了具体深入的综述及分析，还以一定篇幅重点介绍了新的控制原则指导下在许多重要领域的实际应用开拓。 全文 »
站长说明：应“烟台纳美仕电子材料有限公司”总经理山田先生要求删除此文附件（因此资料属于纳美仕提供给特定客户的机密信息），给各位站友及网友带来不便，敬请谅解！
昨日拜读了中国电子胶水论坛上网友scotthsu提供的一份关于UNDERFILL的资料，是由日本NAMICS（纳美斯）公司整理撰写的（Mutual prosperity to both mankind and nature through Creativity, Innovation and Sensitivity），文中标明为”NAMICS CONFIDENTIAL”,不过既然能够从网络上得到，只怕也CONFIDENTIAL不到哪去，呵呵！全文对underfill做了一个全面的阐述，当然也对开发和检测underfill的一些方法以及发展方向做了综述，对整体了解underfill还是有一定帮助的，目录如下：
R&D Concept：
A Wide Range of Accumulated Technologies
In order to satisfy the Customers
Various kinds of underfill materials
Performances promised by the top of market share
Sufficient Analyzing facilities
Underfill Development:
Understanding of packaging trends
Underfill development concept
Low warpage&bump crack free
Narrow gap penetration
Bleeding free
Products
Roadmap
看完后个人整理如下： 全文 »
近日阅读了一份关于RFID的原理及制造工艺的资料，没有标题，从内容来看应该是台湾同胞所整理的资料，基本目录如下：
1. 矽原子結構………………………2
2. 原子間之鍵結
3. RFID 材料之電性………………12
4. RFID TAG的 IC元件…………30
5. 腐蝕環境損傷及其防制…………50
6. RFID 標籤製程介紹…………63
7. RFID 封裝介紹………………77
8. RFID 晶片設計………………88
老实说，我看完之后也不知道第1、2部分和整份资料有什么太大联系，或者说是打一个基本的化学基础吧！不过看完此份资料，对RFID应该算是有个比较系统的了解了的，当然我的重点依然是和电子胶水相关的部分—RFID的封装及材料。看完一般直接的收获如下： 全文 »
1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题：
光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题；
使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像（aerial images）有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片表面问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题；
2、光学系统分辨率控制：（光刻分辨率工艺路线图）
I线→I线+ARI→I线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSM→I线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAI→I线+PSM/深紫外光+OAI或PSM→深紫外光+PSM（最小分辨率减小，ARI环形灯光源、OAI偏轴光源、PSM相位偏移掩膜）
a.改进的曝光源：紫外光UV和深紫外光DUV，汞灯（I线365nm H线405nm G线436nm 中紫外线313nm、深紫外线245nm）；
b.受激准分子激光器：XeF 351nm XeCl 308nm RF 248nm AF 193nm；
c.聚焦离子束：系统稳定性非常差；
d.X射线：需要特制掩膜版（金做阻挡层）、成本非常高；
e.电子束：电子束光刻是一门成熟的技术，无需掩膜版，直接书写（direct writing），光刻胶曝光顺序分为光栅式和矢量式；成本也比较高 全文 »
1、显影：通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。
a.负光刻胶显影：二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗；
b.正光刻胶显影：碱（氢氧化钠或氢氧化钾）+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液（TMAH）;
c.湿法显影：
沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等；
喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却（adiabatic cooling）；
混凝-是用以获得正胶喷射显影工艺优点的一种工艺变化；
等离子去除浮渣-不完全显影造成的一个特俗困难叫做浮渣（scumming），用氧等离子去除；
d.干法（或等离子）显影：干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等离子体去除，换言之图案的部分从晶圆表面上氧化掉，一种DESIRE的干法显影工艺会使用甲基硅烷和氧等离子体
2、硬烘焙：与软烘焙一样通过溶液的蒸发来固化光刻胶，常见工艺流程如下:
显影—检验—硬烘焙—刻蚀；显影/烘焙—检验—刻蚀；显影/烘焙—检验—重新烘焙—刻蚀；
硬烘焙温度的上限是以光刻胶流动点而定，高温烘焙会产生边缘线等不良现象； 全文 »
1、光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作（Photolithography、Photo masking、Masking、Oxide、Metal Removal-OR,MR、Microlithography）
分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization；
负胶+亮场或正胶+暗场形成空穴； 负胶+暗场或正胶+亮场形成凸起；
2、光刻十步法：
表面准备—涂光刻胶—软烘焙—对准和曝光—显影—硬烘焙—显影目测—刻蚀—光刻胶去除—最终目检；
3、基本的光刻胶化学物理属性：
a、组成：聚合物+溶剂+感光剂+添加剂
普通应用的光刻胶被设计成与紫外线和激光反应，它们称为光学光刻胶（optical resist），还有其它光刻胶可以与X射线或者电子束反应；
负胶：聚合物曝光后会由非聚合态变为聚合状态，形成一种互相粘结的物质，是抗刻蚀的，大多数负胶里面的聚合物是聚异戊二烯类型的，早期是基于橡胶型的聚合物； 全文 »
从2008年11月12日至2009年1月19日，抽空将《粘接与胶黏剂技术导论》整本书看完了，回想起来收获还是不小的。有几点感触：
1、系统的看完整本书的确对专业的了解以及对知识的把握会更系统一些，更全面一些，要不怎么有些在学校的学习成绩不错的学生光靠啃教材，反复啃也能学得比较不错呢，呵呵！ 从学校出来之后只怕很少有人会有这种“啃”教材的精神吧，一般是碰到一个问题就去翻翻相关书籍或者上网搜索一下了之！
2、有一定零星知识的基础再去系统的学习也是比较有益的，以往我只是着重于电子胶水，说来说去就是什么环氧哦、硅胶哦、丙烯酸什么的，实际真正在胶粘剂领域这只是其中很小的一些分支，广义的胶粘剂更多是从功能和应用上去区分和界定的，其实书中就简单分为结构胶粘剂、弹性体基胶粘剂、热塑性假热塑性几大类，而我所接触的环氧类电子胶粘剂只怕多数都是属于结构胶粘剂，不过比起什么建筑结构胶粘剂之类的电子类胶粘剂的用量只怕是微乎其微，难怪也没有专门的电子结构胶粘剂一说了，呵呵！
3、记得网上流传过一个“史上最雷人的地方政府网站”，其制作者也是个业余爱好者，在网页上堆积了大量的特效，想想自己在97还是98年的时候就尝试用html语言和记事本为工具，去源代码编制一些简单的网页时，也是一种新鲜的感觉，那个时侯连frontpage软件也没有，更别提各种网页制作工具了。后来做网站也就非常讲究整体结构、目录层次，动态静态、SEO优化等等。其实说这个东西的主要目的还是想说对知识的系统把握很重要，如果自己不是整体看过这本教材，对胶粘剂的理解只怕依然是很片面的，在不懂电子胶的人面前或许还能吹嘘一下，碰到真正懂胶粘剂的只怕就糗大了，呵呵！ 全文 »
今日拜读了中科院化学研究所的高玉、余云照撰写的《导电胶固化过程中导电网络形成的机理》一文，该文于2004年发表。就文章的内容谈一些自己的初浅看法：文中提到传统业界用“渗流理论”（percolation theory）来解释导电胶固化前后的机理，并在此基础上提出了导电团簇（cluster）机理，并认为后者才是导电胶固化前后导电的主要影响因素。其实就树脂的体积收缩，使导电颗粒之间的接触电阻降低从而导电的实验也是很容易完成和理解的，上次同事将导电银胶配方体系中的一款溶剂替换后，发现电阻明显上升，几乎丧失了导电的功效。不过体积收缩理论在含溶剂的导电银胶中应该是起更大作用的，而目前有很多银胶是不含溶剂的，在固化过程中的失重很小，要产生较大的体积收缩只怕要从化学反应后分子结构的角度去分析了，或者说是由文中谈到的导电团簇（cluster）机理在起主要作用了。
另外就文中的一些数据和实验方法有一点疑问，文中电表的量程为最小只能到10的负二次方，而目前我个人理解导电银胶的最起码要做到10的负三次方以下，至少在电子胶水像LED什么的里面是最基本的要求，一般是在10的负四次方数量级的。而文中支持其理论的图表中的纵坐标最小值都是个位数级别的。当然这里可能存在体积电阻、表面电阻的差别，可能也存在两针法、四针法等测试方法的差别，总言之数量级极达到一定程度后，再想提升一个高度可能就涉及到更基础的科学的，那与应用的结合只怕也有较大距离了！
感兴趣的朋友可以自行下载阅读一下，
华为网盘下载：http://dl.dbank.com/c0lvfbkzi1
导电胶固化过程中导电网络形成的机理 看看是否有同感哦！
下面是相关简单的摘要：先参考一下：
导电胶固化过程中导电网络形成的机理
高玉，余云照
(中国科学院化学研究所，北京100080)
摘要：研究了环氧树脂导电胶固化过程中电阻的变化与电极之间距离的关系，根据实验结果提出了如下观点： 全文 »
《【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商》： 作为一种无机非金属矿物功能性粉体材料，硅微粉广泛应用于电子材料、电工绝缘材料、胶黏剂、特种陶瓷、精密铸造、油漆涂料、油墨、硅橡胶等领域。 目前，世界上只有中国、日本、韩国、美国等少数国家具备硅微粉生产能力... 全文 ?