1、简介：
a.钎料已成为所有三级连接（芯片、封装和板级组装）的互连材料，此外锡/铅钎料作为表面涂层还广泛应用于元器件引线和PCB的表面镀涂层；
b.表面安装技术：它主要是应用科学与工程原理将元件和器件放置到印制电路板表面上进行板级组装，而不是将它们插入电路板。与通孔插装技术相比，表面组装技术有如下优点：
■提高了电路密度；
■缩小了元器件尺寸；
■缩小了电路板尺寸；
■减轻了质量；
■缩短了引线；
■缩短了互连；
■改善了电性能；
■更适应自动化；
■降低了大规模生产地成本；
c.工业趋势：
■半导体元件：半导体器件一直向着提高可靠性、缩小特征尺寸、增大的晶圆片尺寸发展，今后电子技术的发展可能不只是受到传统的电路材料理论推动，它还可能基于电子和声子，可能还包括光子的迁移率及传导率；
■IC的封装和无源元件：又有已知合格芯片（KGD）在板级组装中一直存在问题，使用封装好的表面安装器件将继续占主流地位（ DIP、PGA、LCCC、PLCC、SOIC、CSP、FQFP、TQFP、BGA）；
■板级组装：配备了能提供多种工艺能力硬件的柔性工艺，便捷生产和基础设备对于将来SMT生产地成功来说都是至关重要的；
d.交叉学科和系统方法：
■最好的科学与技术史结合了四种要素产生的：科学家的责任感、想象力、直觉和创造力；
■浆料技术源于几个学科的交叉：配方技术、流变学、化学与物理、冶金和粉末技术；

2、软钎焊材料： 全文 »

周末在家研读了台湾长兴化学公司的两篇关于电子胶水的讲稿，其中一篇是許再發先生于2008年5月20日演讲的《光電構裝材料之發展》，此文主要针对光电封装中的导电胶材进行了比较全面的阐述，而且将导电胶材归结为更为详细的分类，当然也是在原有分类基础之上的，具体分为了以下几类：
Non-Conductive Adhesive (NCA)
Isotropic Conductive Adhesive (ICA)
Electrically Conductive Adhesive (ECA)
Anisotropic Conductive Adhesive (ACA)
Anisotropic Conductive Film (ACF)
Anisotropic Conductive Paste (ACP)
Thermally Conductive Adhesive (TCA)
Thermal Interface Material (TIM)
其实也就是我们常见的分类上进行了细分，其中将导热材料也归为其类了。而且文中就台湾长兴化学能够进行的相关测试和设备也进行了比较详细的介绍，尤其是导电胶可靠性测试，这里介绍得比较全面，载录如下： 全文 »

1、金属和合金的选择：
a.金属因其具有各种各样的物理和力学性能而在电子和电气工业中得到广泛的运用，电子设备对材料要求是多方面的，因此在选择金属时要进行多方面的权衡；
b.选材判据：选材要从与力学和物理性能有关的功能要求方面来考虑，可制造性和经济性也总是要考虑的因素；
c.成分：化学成分是金属最常给出的技术指标。它决定了金属基本的力学性能和物理特性，制造方法和热处理将影响这些性质，但是化学成分决定了最基本的特性；
d.产品形式：铸造形式和锻造形式：
■铸造金属：通过把熔融的金属浇入所需要形状的模内而制成；半固态金属加工技术和金属注射成形（MIM）技术是一些新的特殊铸造工艺；
■可锻金属：挤压、拉拔、锻造、轧制
e.强化机理：加工硬化、沉淀硬化、相变硬化；
f.力学性能：交变载荷（疲劳）、持续载荷、温度影响；
g.物理性能：冷加工、热处理、温度
h.制造考虑：可成形性、可机械加工性、连接、可焊接性、硬钎焊、软钎焊；

2、金属及其数据比较：
屈服强度、弹性模量（杨氏模量）、比刚度（弹性模量除以密度）、比强度（强度除以密度）、热导率（银铜金铝）、电阻率、吸热能力

3、铁基合金：铁元素的含量大于或等于50%的合金被称为铁基合金，当然特殊的铁基合金铁含量也可能低于50%，以机械用钢为例可分为：碳素钢、合金钢、高强度低合金钢、超高强度钢、轧制热处理钢、特殊用钢； 全文 »

1、简介：
a.几乎所有的电子市场都能用到玻璃和陶瓷技术，在无线和微波频率范围内，采用低介陶瓷或玻璃基介质的低信号衰减电子数据传输是很常见的；
b.高介电常数的电绝缘陶瓷是蓄能电容器的重要组成部分，占有最大的市场；
c.随着电子工业的发展，铁氧体陶瓷的应用领域不断扩大，包括了电感器、变压器、永磁铁、磁-光器件、机械电子器件以及微波电子器件等；

2、用于微电子的陶瓷互连：陶瓷互连技术在设计灵活性、密度、可靠性方面独具优势，这些陶瓷材料本身固有优点使它成为高密度、高可靠应用的首选材料，陶瓷封装可分为以下几大类：(Si的热膨胀系数为3.5ppm，GaAs的热膨胀系数为7.5ppm)
a.薄膜：陶瓷基板上薄膜金属化的开发主要是利用了陶瓷基板高的电路密度、淀积和蚀刻金属的尺寸精确、高导热率及高机械稳定等特点（常用基板有高纯氧化铝、玻璃、多层陶瓷和磁性陶瓷；薄膜材料有金、银、铜、铝、TaN、Ta2N、NiCr等；淀积方法有蒸发、溅射、电镀、化学气相沉积CVD等。）
b.厚膜：厚膜技术最简单的形式是利用丝网印刷技术在致密的陶瓷基板上淀积金属电路，在金属中添加玻璃和氧化物有助于金属在相对低的温度下（600~950℃）致密化和与基板粘接。（金属，介质、电阻及铁氧体浆料是由有机载体、金属或氧化物粉料及玻璃料组成的）
c.多层封装：多层陶瓷技术允许将多个电路安装在一个单独的气密封装中，这种包含埋置元件的结构，提供了在同一介质中建立带状线和微带线的方法，增加了设计的灵活性；
d.高温共烧陶瓷（HTCC）：流延生瓷带—冲切—冲孔—填充通孔—丝网印刷—叠层/层压—分离成形—共烧—镀镍—钎焊—镀NiAu；
e.低温共烧陶瓷（LTCC）：低温共烧陶瓷技术史以无机材料为基础，用作含有多个密集电路布线及组装电子元器件层的壳体材料，LTCC采用了高温共烧陶瓷和多层厚膜基板的技术和制造工艺，基本流程为下料—通孔成形—通孔填充—电路印刷—形成腔体—叠片—层压—烧结—后加工； 全文 »

1、基础部分：
a.聚合物的定义：聚合物是由大量称之为单体的小分子连在一起形成的大分子，把这些单体连在一起所涉及的工艺称之为聚合，长分子链包括氧、氢、氮、碳、硅、氯、氟和硫等；
b.聚合物的类型：
■加聚物和缩聚物；
■线型、支化、晶体、非晶体、液晶共聚物、橡胶及聚合物合金；
■橡胶、热固性、热固性
c. 合成方式:本体聚合（MWD较宽）、溶液聚合、乳液聚合（MWD较窄）、悬浮聚合（MWD相对窄）。 MWD-分子量分布；
d.相关术语：
■塑料术语：B阶、NEMA标准、pH值、包封、表面电阻率、玻璃化转化点、薄膜粘接剂、储存寿命、触变、促进剂、催化剂、弹性模量、弹性体、低温流动（蠕变）、电容、电阻率、放热反应、放热曲线、工作寿命、功率因子、固化剂、固化时间、固化、灌注、化合物、加速剂、交联、介电常数（介电系数或电容率）、介电功率因子、介电强度、介电损耗角（介质相差）、介电损耗因子（介电损耗指数）、介电损耗、介电系数、介电相角、浸渍、晶态熔点、聚合、聚合物、绝缘电阻、抗弯模量、抗弯强度、老化、硫化、洛氏硬度、埋置、模塑、耐潮性、耐电弧性、耐电强度（介电强度或击穿强度）、粘度、凝胶、膨胀系数、起泡剂、热变形点、热导率、热封、热固性树脂、热熔粘接剂、热塑性树脂、溶剂、润湿、邵氏硬度、适用期、树脂、水解、塑料、损耗因子（损耗正切、近似功率因子）、碳氟化合物、体积电阻率（比绝缘电阻）、填料、烃、涂覆、维卡软化温度、吸湿、吸水率、橡胶、抑制剂、应变、应力、硬化剂、有机物、增韧剂、增塑剂、粘接剂、粘结强度、直接粘接、注塑；
■电绝缘性能术语：介电强度（数值越高绝缘性越好）、电阻和电阻率（数值越高绝缘性越好）、介电常数（对高频或功率用途，较低的介电常数最好）、功率因子和损耗因子（数值越低越好，表明系统的效率高，损耗小）、耐电弧性（越高越好）、相对击穿指数（CTI）； 全文 »

1、原子结构：原子是由高度密集的质子和中子组成的原子核以及围绕它在一定轨道（或能级）上旋转的荷负电的电子组成（Neils Bohr于1913年提出）。当原子彼此靠近时，它们之间发生交互作用的形成所谓的化学键，化学键可以分成离子键、共价键、分子键、氢键或金属键；
2、真空管（电子管）：
a.真空管问世于1883年Edison（爱迪生）发明白炽灯时，1903年英格兰的J.A.Fleming发现了真空管类似极管的作用。在爱迪生的真空管里，灯丝为阴极、金属板为阳极；
b.当电子管含有两个电极（阳极和阴极）时，这种电路被称为二极管，1906年美国发明家Lee DeForest在阴极和阳极之间加入了一个栅极（一个精细的金属丝网），此为最早的三极管，另外更多的电极如以致栅极和帘栅极也可以密封在电子管中，以扩大电子管的功能；
c.真空管尽管广泛应用于工业已有半个多世纪，但是有很多缺点，包括体积大，产生的热量大、容易烧坏而需要频繁地更换，固态器件的进展消除了真空管的缺点，真空管开始从许多电子产品的使用中退出；
3、半导体理论：
a.在IC芯片制造中使用的典型半导体材料有元素半导体硅、鍺、硒，半导体化合物有砷化镓（GaAs）、磷砷化镓（GaAsP）、磷化铟（InP）；
b.二极管（一个p-n结），当结上为正向偏压时可以导通电流，当反向偏压时则电流停止；
c.结型双极晶体管：把两个或两个以上的p-n结组合成一个器件，导致了晶体管的出现，晶体管是一种能够放大信号或每秒开关电流几十亿次的器件。最初的器件使用点接触穿入鍺半导体本体，随后的晶体管使用鍺作为半导体的结（双极）型晶体管，鍺这种半导体材料后来被硅所代替；（基极B  发射极E  集电极C） 全文 »

书名:电子封装材料与工艺(原著第3版)/电子封装技术丛书
《ELECTRONIC MATERIALS AND PROCESS HANDBOOK》
ISBN:750257979
作者:(美)查尔斯A.哈珀 CHARLES A.HARPER
出版社:化学工业出版社

内容提要

日前中国已成为世界第三大电子信息产品的制造国，众多世界著名电子公司的大量一级、二级封装正在转入我国生产。了解电子封装的新理论、新材料和新工艺已经成为电子工业相关工作者的迫切要求。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》译自美国McGraw-Hill公司2004年出版《ElectronicMaterials nd Processes Handbook》 (第3版)，汇集了国际上近几年最新的电子封装材料与工艺。
《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》由工作在电子封装第一线的各方面专家编写,内容涉及电子封装及相关领域的材料与工艺,包括半导体、塑料、橡胶、复合材料、陶瓷和玻璃以及金属等各种材料，也包括电子封装和组装的软钎焊、电镀与沉积金属涂层、印制电路板制造、混合微电路与多芯片模块的材料和工艺、电子组件中的粘接剂、下填料和涂层以及热管理材料及系统等各种工艺技术，较充分反映了当前电子封装各方面的先进材料与工艺，不仅理论分析充分，而且有丰富的实践经验总结，是关于电子封装材料和工艺的较为全面而实用的工具书。为便于读者查阅，书后附有术语索引，并配有英文对照，以便于对专业术语的规范和理解。《电子封装材料与工艺-(原著第三版)-电子封装技术丛书》对从事电子封装及相关行业的科研、生产、应用工作者都会有较高的使用价值，对高等院校相关专业的师生也具有一定的参考价值

目录

第1章集成电路芯片的发展与制造
11简介
12原子结构
13真空管
14半导体理论
141二极管
142结型双极晶体管
143场效应晶体管
144结型场效应晶体管
145金属氧化物半导体场效应晶体管
146互补型金属氧化物半导体场效应晶体管
15集成电路基础
16集成电路芯片制造
161晶锭的生长与晶圆片的制备
162洁净度
163集成电路制造
参考文献
第2章塑料、橡胶和复合材料 全文 »

【基本信息】

【内容简介】

【目录信息】

译 者 序

第一章《半导体工业》

第二章 半导体材料和工艺化学品

第三章 晶圆制备

第四章 芯片制造概述

第五章 污染控制

第六章 工艺良品率

第七章 氧化

第八章 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光

第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

第十章 高级光刻工艺

第十一章 掺杂

第十二章 淀积

第十三章 金属淀积

第十四章 工艺和器件评估

第十五章 晶圆加工中的商务因素

第十六章 半导体器件和集成电路的形成

第十七章 集成电路的类型

第十八章 封 装

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钽电容器分类
片式钽电解电容器CA45(SMD)
端帽式钽电容器CA459(conformal-coated)
聚合物钽电容器(SMD POS-CAP)
插脚钽电解电容器CA42(DIP)
轴向钽电解电容器(AXIAL)
1.固体型CA(metal-cased)
2.液体型CA30(wet tan)

钽电容器生产商
日本
NEC、ELNA、NICHICON、HITACHI、PANASONIC   松尾电子

欧美
AVX、KEMET、EPCOS、NIC   安施电子（天津）有限公司
韩国
SAMSUNG、PARTSNIC  大宇 威世
中国
宁夏星日电子、振华科技星云电子、风华高科肇庆利华电子、深圳容电等

其他电容器生产厂商： 全文 »

        公司最近在开发片式钽电解电容和片式铝电解电容阴极粘接用的导电银胶，所以通过老牛下书的软件在网上找了一些与电容器有关的资料学习，所找到的资料均上传在电子胶水论坛的相应版块“电容电阻电感二三极管封装胶水及材料”—http://www.r4e.cn/bbs/forum-77-1.html，有兴趣了解的朋友可以直接去那里看看，走马观花似的看了一遍，大致总结如下：
1、电容器的定义：
顾名思意，可以作这样的形象理解：所谓电容器（capacitor）就是能够储存电荷的“容器”。只不过这种“容器”是一种特殊的物质——电荷 （charge），而且其所存储的正负电荷等量地分布于两块不直接导通的导体板上。至此，我们就可以描述电容器的基本结构：两块导体板（通常为金属板）中 间隔以电介质（dielectric）。即构成电容器的基本模型
2、电容器的分类：
（1）按结构及电容器是否能调节分：有固定电容器、可变电容器和半可变电容器．
（2）按介质材料的不同分：
■有机介质电容器(包括漆膜电容器、混合介质电容器、纸介电容器、有机薄膜介质电容器、纸膜复合介质电容器、聚酯（涤纶）电容（CL）、聚苯乙烯电容（CB）、聚丙烯电容（CBB）等);
■无机介质电容器(包括陶瓷电容器、高频瓷介电容（CC）、低频瓷介电容（CT）、云母电容器CY、玻璃膜电容器、玻璃釉电容器CI等);
■电解电容器(包括铝电解电容器、钽电解电容器CA、铌电解电容器CN、钛电解电容器及合金电解电容器等)，此类电容器有极性；
■气体介质电容器(包括空气电容器、真空电容器和充气电容器等)．
（3）按作用及用途的不同分： 全文 »