这又是一份namics公司撰写的关于底部填充过程中空洞（气泡）产生的原因及避免的方法的，其中是以其U8439-1型号为例进行分析的。关于空洞(气泡)产生的原因可以总结为两大类，一类是叫Capture void，一类是叫Volatile void。用中文理解就是一类是捕获空洞（气泡）？一类是挥发产生的空洞（气泡）。前面这个Capture void表达可能不够确切，但一时也想不起更好的表达方法。
关于Capture void的产生主要是因为点胶Filleting speed速度大于其在芯片底部的填充速度penetration speed，导致空气无法排出，结果导致空洞的形成，如图所示：

解决的方法就是让The Filleting speed = The penetration speed，采取的措施就是： 全文 »

1、虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的有源元件，但是需要各种其它的半导体、绝缘介质和导电层完成器件/电路的电器性能，其中的一些是通过化学气相淀积CVD和物理气相淀积PVD的方式淀积在晶圆的表面；常规的淀积层有：掺杂的硅层（外延层）、金属间的绝缘介质层（IMD）、金属间的导电连线、金属导体层和最后的钝化层；半导体薄膜的参数：
■厚度/均匀性；（高纵横比模式）
■表面平整度/粗糙度；
■组成/核粒（grain）尺寸；
■自由应力；
■纯净度；
■完整性；
■电容；（金属传导层-高传导、低电阻低电容的低k介质；绝缘介质-高电容或高k值介质）
关于low-k值和high-k值可参看另一篇日志：什么是Low-K?什么是High-K?
2、化学气相淀积CVD基础：
a.淀积（deposition）指一种材料以物理的方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，而生长膜是从晶圆表面的材料上生长形成的； 全文 »

1、结的定义：结（junction）就是富含电子区域（N型区）与富含空穴区域（P型区）的分界处，具体位置就是电子浓度和空穴浓度相同的地方，靠热扩散或离子注入可形成结；
2、掺杂区和结的扩散形成：
a.扩散：是一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程。两个必要条件一是一种材料的浓度必须高于另外一种材料的浓度，其次是系统内部必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料；
b.NP结：掺杂区中N型原子的浓度较高，反之PN结掺杂区中P型原子的浓度较高；
c.扩散工艺的目的:
■在晶圆表面产生具体掺杂原子的数量（浓度）；
■在晶圆表面下的特定位置处形成NP（或）PN结；
■在晶圆表面层形成特定的掺杂原子（浓度）分布。
d.横向（lateral）或侧向（side）扩散、同型掺杂（不会形成结）；
e.结的图形显示、浓度随深度变化的曲线；
3、扩散工艺的步骤：固态扩散工艺（solid-state diffusion）形成结需要两步：淀积（deposition）和推进氧化（drive-in-oxidation），均在水平或垂直的炉管中进行。 全文 »

此文转自中国电子胶水论坛http://www.r4e.cn/bbs/thread-8011-1-1.html

弱弱的问一个问题？环氧胶里面，有属于环保节能的吗？如果有，指的是那个呢？

个人理解环保可能就指类似符合ROHS、无卤、PFOS、POHS等欧盟对电子材料的环保新要求的环氧；

而节能的话可以这样理解：同等固化温度下更短的固化时间或者同等固化时间下更低的固化温度（一般指热固化），这样可以节省（热能）电能，呵呵！

所以国内很多厂家尤其是电子厂家对快速固化或低温固化比较热衷，即使工艺上并没有如此严格温度和时间的要求（要看当初是如何配置生产线产能的），而变相的成为了一种胶水厂商竞争的由头！

举一个真实的例子： 全文 »

前日在学习Underfill Roadmap—By Namics资料时碰到一个Low-K的概念，不甚了解，后来在网上查实了一下，就转了这篇文章过来了：

Low-K技术最初由IBM开发，当时的产业大背景是——随着电路板蚀刻精度越来越高，芯片上集成的电路越来越多，信号干扰也就越来越强，所以IBM致力于开发、发展一种新的多晶硅材料。IBM声称，Low-K材料帮助解决了芯片中的信号干扰问题。而Intel的目的是使用低介电常数的材料来制作处理器导线间的绝缘体。这种材料可以很好地降低线路间的串扰，从而降低处理器的功耗，提高处理器的高频稳定性。在Intel的产品开发中Northwood应该就已经受福于Low-K技术了。不过，现在的Low-K技术已经不是Northwood时代的Low-K技术了，记得我以前在一个帖子就曾经强调过，硬件发展在三大技术——晶圆切割技术、电路板蚀刻技术和晶体管的纳米级别的集成技术，这三大技术的快速发展而带来空前活力的同时，我们应该可以预见到越来越高的频率、越来越大的功耗和越来越夸张的发热。所以，我觉得Low-K技术将人们的关注重点再一次转移到了材料科学上，而这才是真正针对处理器高频率低稳定高热量这个当前最大难题的治本的办法，尽管事实上，当前的Low-K技术还不足以解决这些问题。 全文 »

书名：聚合物的粘接作用
ISBN：7502558187
作者： 乌克兰 法西罗夫斯基 Veselovsky Roman A. 著
出版社：北京 : 化学工业出版社
年份：2004
页数和开本： 295页 ; 23cm
丛编项：国外胶黏剂丛书
题名：Adhesion of Polymers
主题：高聚物(7) > 胶粘剂(1)
中图分类号：化学工业

内容介绍:
由美同McGraw—Hill公司2002年出版的“Adhesion Polymers”一书(英语)系出乌克兰科学院院士R．A．法西罗大斯是及V．N．凯斯特尔曼所著。他们在材料科学的理论研究及实际应用方面取得了极其丰硕的成果，对于合成胶粘剂的系统理论研究及其在工业、医学等重要领域的开拓应用更是人们所十分瞩目的。他们发表了很多具有影响力的学术专著利论文，拥有大量专利，显示了他们较深的学术造诣。本书最大特点是结合他们长期研究的经验系统地进行了理论阐述。对胶粘接头的形成规律；不同胶黏剂类型组成、添加剂及不同介质环境等对胶粘接头性质的影响；内应力的产生及消除；填充聚合物、共混物和浸渍材料的粘校性质；控制胶粘接头强度及其性质的理论假说和判据等重要议题作了具体深入的综述及分析，还以一定篇幅重点介绍了新的控制原则指导下在许多重要领域的实际应用开拓。 全文 »

站长说明：应“烟台纳美仕电子材料有限公司”总经理山田先生要求删除此文附件（因此资料属于纳美仕提供给特定客户的机密信息），给各位站友及网友带来不便，敬请谅解！

昨日拜读了中国电子胶水论坛上网友scotthsu提供的一份关于UNDERFILL的资料，是由日本NAMICS（纳美斯）公司整理撰写的（Mutual prosperity to both mankind and nature through Creativity, Innovation and Sensitivity），文中标明为”NAMICS CONFIDENTIAL”,不过既然能够从网络上得到，只怕也CONFIDENTIAL不到哪去，呵呵！全文对underfill做了一个全面的阐述，当然也对开发和检测underfill的一些方法以及发展方向做了综述，对整体了解underfill还是有一定帮助的，目录如下：
R&D Concept：
             A Wide Range of Accumulated Technologies
             In order to satisfy the Customers
             Various kinds of underfill materials
             Performances  promised by the top of market share
             Sufficient Analyzing facilities
Underfill Development:
             Understanding of packaging trends
             Underfill development concept
                     Low warpage&bump crack free
                     Narrow gap penetration
                     Bleeding free
             Products
             Roadmap

看完后个人整理如下： 全文 »

近日阅读了一份关于RFID的原理及制造工艺的资料，没有标题，从内容来看应该是台湾同胞所整理的资料，基本目录如下：
1. 矽原子結構………………………2
2. 原子間之鍵結
3. RFID 材料之電性………………12
4. RFID TAG的 IC元件…………30
5. 腐蝕環境損傷及其防制…………50
6. RFID 標籤製程介紹…………63
7. RFID 封裝介紹………………77
8. RFID 晶片設計………………88

老实说，我看完之后也不知道第1、2部分和整份资料有什么太大联系，或者说是打一个基本的化学基础吧！不过看完此份资料，对RFID应该算是有个比较系统的了解了的，当然我的重点依然是和电子胶水相关的部分—RFID的封装及材料。看完一般直接的收获如下： 全文 »

1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题：
光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题；
使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像（aerial images）有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片表面问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题；
2、光学系统分辨率控制：（光刻分辨率工艺路线图）
I线→I线+ARI→I线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSM→I线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAI→I线+PSM/深紫外光+OAI或PSM→深紫外光+PSM（最小分辨率减小，ARI环形灯光源、OAI偏轴光源、PSM相位偏移掩膜）
a.改进的曝光源：紫外光UV和深紫外光DUV，汞灯（I线365nm  H线405nm  G线436nm 中紫外线313nm、深紫外线245nm）；
b.受激准分子激光器：XeF 351nm  XeCl 308nm  RF 248nm  AF 193nm；
c.聚焦离子束：系统稳定性非常差；
d.X射线：需要特制掩膜版（金做阻挡层）、成本非常高；
e.电子束：电子束光刻是一门成熟的技术，无需掩膜版，直接书写（direct writing），光刻胶曝光顺序分为光栅式和矢量式；成本也比较高 全文 »

1、显影：通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。
a.负光刻胶显影：二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗；
b.正光刻胶显影：碱（氢氧化钠或氢氧化钾）+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液（TMAH）;
c.湿法显影：
沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等；
喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却（adiabatic cooling）；
混凝-是用以获得正胶喷射显影工艺优点的一种工艺变化；
等离子去除浮渣-不完全显影造成的一个特俗困难叫做浮渣（scumming），用氧等离子去除；
d.干法（或等离子）显影：干法光刻胶显影要求光刻胶化学物的曝光或未曝光的部分二者之一易于被氧等离子体去除，换言之图案的部分从晶圆表面上氧化掉，一种DESIRE的干法显影工艺会使用甲基硅烷和氧等离子体
2、硬烘焙：与软烘焙一样通过溶液的蒸发来固化光刻胶，常见工艺流程如下:
显影—检验—硬烘焙—刻蚀；显影/烘焙—检验—刻蚀；显影/烘焙—检验—重新烘焙—刻蚀；
硬烘焙温度的上限是以光刻胶流动点而定，高温烘焙会产生边缘线等不良现象； 全文 »