本文摘自中国电子胶水论坛精华帖http://www.r4e.cn/bbs/thread-7862-1-1.html， 由“洋梨果”版主所发表，一篇比较有概括性的文章，大家共同学习之！

银粉银浆市场状况
一．
前言
银有如下几方面特性：
最优常温导电性
最优导热性
最强的反射特性
感光成像特性
抗菌消炎特性

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今天有位朋友向我咨询到乐泰的一款underfill产品，型号是3517，据说是用在sharp的PDA类产品上面，我对3513了解多一些，因为碰到的手机客户用此款的较多，公司的DU901和DU902也都是针对3513同类应用的。于是去官方网站下载了一份看了看！看上去与3513还比较类似，不过固化的温度似乎可以更低一些，时间也稍微长一些，还有就是Tg点似乎要高一些，但返修方式好像是一样的。

LOCTITE  3517  is a one part, heat curable epoxy. It is designed for use as a reworkable CSP(FBGA) or BGA underfill for protection of solder joint against mechanical stress when used for hand held electronics devices.

Chemical Type： Epoxy
Appearance (uncured)： Black liquidLMS
Components ：One component – requires no mixing
Cure： Heat cure
Cure Benefit ：Production – high speed curing
Application ：Underfill
Specific Application ：Reworkable underfill for CSP (FBGA) or BGA
Dispense Method ：Syringe
Key Substrates： SMD components to PCB
Reworkable： Yes

有兴趣的朋友可以下载学习一下！ 华为网盘下载 http://dl.dbank.com/c08ln0au3h

3517-en

第六章  表面科学与粘接科学的关系

1、粘接的静电理论：倡导者－Derjaguin，假定了Ec＝Wb，没有考虑剥离时消耗的能量并不是界面能，忽略了胶粘剂和被粘物的塑性变形，只有单被粘物和胶粘剂是完全弹性体的情况下，界面能才是破坏胶接件的总能量；（只有当相互接触的材料间存在着巨大的电负性差异时，静电力才会在粘结的形成中发挥作用，决定交接件的强度）

电负性－electronegativity；断口放射－fracto-emission

2、粘结的扩散理论（挑选与被粘物相溶的胶粘剂）：扩散粘接使人们不可能得到真实的界面，而是一个中间相，在这个相中材料A逐渐变成材料B的特性。扩散粘接使粘接的极限结果。被粘物和胶粘剂间互溶的情形很少，因此扩散理论只能应用于有限的情况，以Hildebrand提出的真溶液理论为基础，可以为材料的互溶性提供一些判据。Iyengar＆Erickson实验；双悬臂梁测试方法；

内聚能Ecoh（cohesive energy）、PET－聚对苯二甲酸乙二酯、自粘性（autohesion）、嵌段共聚物（block copolymers）、PMMA－聚甲基丙烯酸甲酯、PS－聚苯乙烯、PI－聚戊二烯、分子链拉出（chain pullout）、蛇行理论（reptation theory） 全文 »

今日看了一篇讲义《高良率RFID电子标签量产技术》，是2007 RFID Summits in Taiwan上面由资贸科技股份有限公司（AMOS Technologies Inc.）的杜德霖先生撰写演讲的《A professional RFID tagmanufacturer and solutions provider》。其实对于RFID的相关应用我之前很少完整的看过一些资料或文献，都是零散的一些内容，所以看这篇讲义时很多地方也是一知半解，或许需要综合更多的基础知识才能理解得更深入一些。不过就看完的内容大致总结一下学习的体会：

存在的困难还是依然，天线的印制、芯片的粘接等等一直是几种方式并存，不过里面谈到了制造的风险，截图如下，应该算是一个比较全面的归纳，当然有没有公司倾向性就不得而知了，见图：

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第三章 晶圆制备
1、晶圆制备阶段：矿石到高纯气体（四氯化硅或者三氯硅烷）的转变－气体到多晶的转变－多晶（polysilicon）到单晶、掺杂晶棒的转变－晶棒到晶圆的制备；

2、原子在整个材料里重复排列成非常固定的结构，这种材料称为晶体（crystal）；原子没有固定的周期性排列的材料称为非晶体或者无定形（amorphous）；

3、晶体里的原子排列为晶胞（unit cell）结构－晶体结构的第一个级别；晶格（lattice）；

硅晶胞具有16个原子排列成金刚石结构，砷化镓晶体具有18个原子的晶胞结构称为闪锌矿结构；

4、当晶胞间整洁而有规则地排列时，第二个级别地结构发生了，这样排列的材料具有单晶结构。单晶材料比多晶材料具有更一致和更可预测的特性，单晶结构允许在半导体里一致和可预测的电子流动；

5、晶向（crystal orientation），晶面通过一系列称为密勒指数的三个数字组合来表示，<100>晶向的晶圆用来制造MOS器件和电路，而<111>晶向的晶圆用来制造双极型器件和电路。 全文 »

第二章 半导体材料和工艺化学品

1、原子结构：电子 质子 中子 空穴（未填充电子的位置）

任何原子中都有数量相等的质子和电子；任何元素都包括特定数目的质子，没有任何两种元素有相同数目的质子；有相同最外层电子数的元素有着相似的性质；最外层被填满或者拥有8个电子的元素是稳定的；原子会试图与其他原子结合而形成稳定的条件。

2、导电率 C＝1/ρ    ρ为电阻率，单位为欧姆·厘米  Ω·cm

3、电容：把一层绝缘材料夹在两个导体之间就形成的一种电子元件，电容的实际效应就是储存电荷  C＝kEA/t   C-电容 k-材料的绝缘常数 E-自由空间的介电常数（自由空间有最高的电容）  A-电容的面积 t-绝缘材料的厚度。

4、电阻 R＝ρL/WD  ρ为材料电阻率 L为长度  W为宽度  D为高度

5、导体半导体相关特性：材料的电分类和掺杂半导体的性质  空穴流（hole flow）

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第五章 聚合物基本的物理/化学性能
1、聚合物（polymer）＝poly＋mers  希腊语

2、热塑性（thermoplastic）和热固性（thermosets）聚合物；无定形（amorphous）和半结晶性（semicrystalline）聚合物；

3、均聚物（homopolymer）、共聚物（copolymer）、无规共聚物（random copolymer）、交替共聚物（alternating copolymer）、嵌段共聚物（block copolymer）、低聚物（oligomeric）

4、脆性（brittle）聚合物－高杨氏模量，低低断裂伸长率，断裂应变能密度小；

弹性体（elastomer）－低杨氏模量，高低断裂伸长率，断裂应变能密度较高；

介于两者之间－杨氏模量较高、低断裂伸长率居中，断裂应变能密度高（适合于胶粘剂）

5、非热固性的高分子量聚合物在高温下是弹性体，低温下是脆性体，在中间温度下则能显示出韧性或皮革特性。而且，在单一温度和高应变速率下聚合物也能表现出如同低温下的性能（脆性）；在单一温度和低应变速率下，高分子聚合物也能表现出如同高温下的性能（弹性）。聚合物这种特性就是众所周知的时温等效性（time-temperature equivalency）； 全文 »

第一章《半导体工业》
1、电子数字集成器和计算器（ENIAC） 18000个真空三极管，70000个电阻，10000个电容，6000个开关，耗电150000W，成本约400000美元 重30吨，占地140平方米 宾夕法尼亚的摩尔工程学院于1947年进行公开演示；

2、晶体管（transistor）－传输电阻器。 John Bardeen, Walter Brattin, William Shockley共同荣获1956年诺贝尔物理奖；

3、每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件（晶体管、二极管、电容器、电阻器）

4、集成电路（integrated circuit） 平面技术（planar technology） Kilby&Noyce共同享有集成电路的专利；

5、集成电路中器件的尺寸（特征图形尺寸－微米）和数量时IC发展的两个共同标志。集成度水平（integration level）的范围：

小规模集成电路      SSI        2－50（单位芯片内的器件数）  芯片边长约为100mils

中规模集成电路      MSI       50－5000（单位芯片内的器件数）

大规模集成电路      LSI        5000－100000（单位芯片内的器件数）

特大规模集成电路    VLSI       100000－1000000（单位芯片内的器件数）

超大规模集成电路    ULSI     >1000000（单位芯片内的器件数）芯片每边长约为500mils

储存器电路由其存储比特的数量来衡量；

逻辑电路的规模经常用栅极的数量来评价； 全文 »

本书的译者是来自摩托罗拉（中国）电子有限公司天津半导体集成制造中心的20几位资深工程师。他们中很多人持有国内知名大学的工学硕士学位，并在半导体前段和后段制造厂从业近10年，其中多人有在海外世界级先进技术的芯片厂工作和培训的经历，是中国最早的半导体从业人员，其理论和实践知识兼备。他们自愿组成团队翻译此书，在紧张忙碌的工作之余，利用业余时间完成了全书的翻译工作，其初衷是把这本优秀的综合介绍半导体工业工艺与制造技术的书籍介绍给国内的读者，也希望谨此为中国的半导体制造工业的发展做些微薄的贡献。
全书共分18章，赵树武为翻译小组组长，在全书的翻译过程中做了大量的组织协调工作，并为中译本作序。其中第1章和第9章由于世恩翻译，第2章由马法军翻译，第3章由吴红东翻译，第4章由于雷翻译，第5章由龚平和于力翻译，第 全文 »

第1章    半导体工业
1.1    一个工业的诞生
1.2    固态时代
1.3    集成电路
1.4    工艺和产品趋势
1.5    特征图形尺寸的减小
1.6    芯片和晶圆尺寸的增大
1.7    缺陷密度的减小
1.8    内部连线水平的提高
1.9    SIA的发展方向
1.10  芯片成本 全文 »