前言及序言（点击链接查看之）——————————–1
第1章    半导体工业————————————–2—3
第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5
第3章    晶圆制备——————————————-6
第4章    芯片制造概述————————————7—8
第5章    污染控制—————————————9—10
第6章    工艺良品率————————————11—12
第7章    氧化——————————————13—14
第8章    基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光————15—17
第9章    基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验————18—20
第10章    高级光刻工艺———————————21—23
第11章    掺杂—————————————–24—26
第12章    淀积—————————————–27—29
第13章    金属淀积————————————-30—31
第14章    工艺和器件评估——————————-32—33
第15章    晶圆加工中的商务因素————————-34—35
第16章    半导体器件和集成电路的形成———————–36
第17章    集成电路的类型——————————-37—38
第18章    封装—————————————–39—41
个人感慨—————————————————41
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1、影响封装工艺的芯片特性：
a.集成度、晶片厚度、尺寸、对环境的敏感度、物理的脆弱度、热的产生、热敏感度；
b.影响封装工艺的环境和物理因素可以从两个方面来阐述，第一是临近晶片制造工艺结尾处的钝化层淀积（主要是氧化硅和氮化硅及掺杂一些硼、磷或两者兼备），第二种保护芯片的方法就是提供一个封装体；
c.封装设计要考虑散热的因素，热同样也是封装工艺中的一项重要参数，封装工艺的耐热极限是450度；
2、封装功能和设计：
a.紧固的引脚系统
b.物理性保护
c.环境性保护
d.散热
3、封装操作工艺概述：
a.洁净度和静电控制
■HEPA过滤器/VLF空气、面罩帽子和鞋套、指套或手套、过滤的化学品、粘着地垫
■接地的静电腕带、静电服、防静电材料、设备接地、工作平台接地、地板接地
b.基本工艺流程
底部准备、划片、取片和承载、检查、粘片、打线、封装前检查、封装、电镀、切筋成型、印字、最终测试
c.常用的封装件
■芯片的粘贴区域
■内部和外部的引脚
■芯片-封装体的连接
■封装（密封性、非密封性/弱密封性） 全文 »

1、大多数电路按其特定的设计原理和功能可以分成三种基本类型：逻辑电路、存储电路和微处理器（逻辑与存储），电路的多样性主要来自于大量特殊用途参数的转变；
2、电路基础：在电路中，数字由二进制码来编码、存储和操作，这都是因为电容可以通过充电得到一个电荷或没有电荷，晶体管也可以开或关，电路中记录信息的最小单位称为“二进制数”或“位”，8位称为一个字节；
3、集成电路的类型：
a.逻辑电路：
■模拟-数字逻辑电路
■模拟逻辑电路
RTL  电阻器-晶体管逻辑
DTL  二极管-晶体管逻辑
TTL  晶体管-晶体管逻辑
ECL  发射极-耦合电路
DCTL 直接-耦合晶体管逻辑
I2L  集成注入晶体管逻辑
■定制-半定制逻辑
全定制
标准电路-定制门形式
标准电路-选择连线门阵列
可编程的阵列逻辑（PAL） 全文 »

1、胶粘接头的强度和适用性主要源于胶黏剂和被粘分子间的相互作用力，两种粘接物体之间在原子尺度上的相互作用力能够产生搞的粘结强度；
2、粘结强度的理论值与测定值之间缺乏统一性的原因在于，获得高的粘接强度的过程受到一系列在胶粘接头形成过程中伴生的因素的阻碍，这些降低胶粘接头强度的因素可分为下列两类：在胶黏剂和被粘物之间边界处弱相互作用层、胶粘接头的内应力；
3、当被粘物表面未被胶粘剂充分润湿或有外来杂质时就会形成弱相互作用层，杂质可能来源于空气、被粘物或胶粘剂（气体、蒸气、油脂、氧化膜、低分子量物质-增塑剂、软化剂、稳定剂、残留单体及其他添加剂）；
4、许多类型胶粘剂的粘结强度取决于固化催化剂以及聚合反应引发剂的种类和用量，其原因是胶粘剂界面的固化程度不同；
5、不同类型的被粘物会影响聚合物的玻璃化转变温度，主要是由于不同被粘物的表面能高低所影响的；
6、在高能被粘物表面使用环氧树脂胶粘剂，可形成固化不完全的聚合层，当粘接低能表面时虽未有固化不完全的聚合物层，但会由于胶粘剂对被粘物的润湿性差而难以达到高的粘结强度； 全文 »

1、半导体器件的生成：电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体；
2、电阻器：掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器；
3、电容器：氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器（stacked capacitor）；
4、二极管：掺杂二极管（击穿电压breakdown）、Schottky barrier二极管（欧姆接触）；
5、晶体管：双极型晶体管（transfer resistor）、Schottky barrier双极型晶体管；
6、场效应晶体管（FET）：金属栅型MOS场效应晶体管、硅栅极型MOS、多晶硅栅型MOS、硅化物栅极型MOS、V凹槽型MOS（VMOS）、扩散型MOS（DMOS）、存储器MOS（MMOS）、结型场效应晶体管（JFET）、金属半导体场效应晶体管（MESFET）；
7、熔断器和导体：（underpass conductor 地下导体）； 全文 »

1、制造和工厂经济：
尽管有在工艺、成本以及市场方面的诸多变化，衡量芯片制造领域的财政状况的方法依然相同：即对于芯片厂售出的有功能的芯片，每片的成本如何（the cost per functioning die shipped out of fabrication）等；在因拥有了封装能力而完全扩展为商业工厂后，衡量方式又变成每一片售出的芯片成本（the cost per die shipped）；在百万级的集成电路世界，每个晶体管的成本正成为一个指示参数。
2、晶圆的制造成本：
a.固定成本：
■管理费用（行政人员数量增长快于生产人员；工厂设施成本及设施维护费用等）
■设备（折旧）
b.非固定成本
■材料：直接材料（进入到芯片中或加在芯片上的材料）和非直接材料（掩膜版等化学品）
■劳动力：直接劳动力和非直接劳动力
■良品率：有良品率的芯片成本（yielded die cost）和未有良品率的芯片成本（unyield die cost）
3、生产成本因素：
a.300毫米直径的晶圆成本估算： 折旧35%  劳动力7%  维护7%  消耗品（直接材料12% 测试晶圆6% 非直接材料26%）  其他7%
b.账面-单据（book to bill）比率
c.生产策略
d.污染控制系统 全文 »

《芯片制造工艺制程实用教程》看得也差不多了，正好在今天的邮件中收到了《半导体科技》杂志社的2008集成电路制造工艺流程图，几乎囊括了书中所有的工艺流程，并且将各个配套的设备材料供应商也列举上去了。另外还有关于我国IC封测商及工艺的一些整理结果，点击下面的文字和图片链接就可以看到相应详细内容了！

周末在家研读了namics公司的又一篇关于underfill的文章《Under-fill Technology Roadmap for SIP Fine-pitch Flip Chip》，其实整篇文章后面有一般也探讨了ACP NCP等异向导电材料和非导电材料等在IC封装中的一些应用，就文中内容整理如下：
1、作为Core technology of underfill for SIP涉及到以下几点：
Fine pitch & Narrow gap(Fine filler distribution)
No void(Dispersion Technology)
Narrow space dispensing (Jet Dispensing)
Stack, thin die, High density PKG(Minimized Bleeding and Creeping)

2、其中的一个基本结论是选择0.1-0.3um直径的填料是最能适应各类间隙（gap）元件的底部填充工艺的；如果填料产生团聚等现象会导致 全文 »

1、从工艺控制和改进的观点来看，关于测量的收集分为三大类：一是包括对测试晶圆和实际器件电性的测量；二是直接测量某些物理参数例如层的厚度、宽度、组成等等；三是测量晶圆和材料内部的污染；
2、晶圆的电性测量：
a.电阻和电阻率及其测量：四探针测试仪（还可测试方块电阻及导电层厚度）
b.掺杂浓度、深度图解法（扩散电阻、阳极氧化技术）
c.二次离子质谱法（SIMS）
d.差动霍尔效应（DHE）
e.氧化层击穿（BVox或击穿电压、GOI）
f.物理测试方法（FIB）
3、晶圆层厚的测量：
a.颜色（由透明镀膜材料的反射系数、观察角度和镀膜的厚度决定）
b.条纹法
c.分光光度计/反射系数
d.椭偏仪
e.触针
4、晶圆的结深：
a.凹槽和斑点（刻蚀技术和点解斑点）
b.扫描电镜（SEM）厚度测量
c.扩散电阻测试法（SRP）
d.二次离子质谱法（SIM）
e.扫描电容显微镜（SCM）及原子力显微镜（AFM） 全文 »

前几日在国外的一个通讯论坛GSM-Forum（http://forum.gsmhosting.com/vbb/index.php）上面下载了一份关于underfill返修的技术资料，一直没有时间细看，近日抽空学习了一遍。这是一份motorola公司内部的关于Repair Methods的操作规程，是2007年的版本，此资料图文并茂的阐述了几种不同情况下的返修，包括普通元器件的返修、BGA的返修、POP的返修，其中后两者的返修涵盖了使用underfill或者underfirm（underfilm？）的情况，然后还介绍了自制的空气冷却系统DIY Air Cooling System、替代3M隔热胶带的经济实用的方法Heat Shielding Methods，以及整个过程中使用的设备、工具、材料等等，具体内容大家可先参看以下目录再决定是否需要下载查看：
Table of Contents
1.0 Introduction 4
1.1 Scope 4
1.2 Terms And Acronyms 4
1.3 Safety and ESD Precautions 4
1.4 Housekeeping 4
2.0 Lead Free 5
2.1 Equipment/Tools Set-up 5
2.2 Procedures 6
2.2.1 Removal of SMD Components 6
2.2.2 Removal of BGA Components 6
2.2.3 Placement of BGA Components 7 全文 »