1、便携电子设备中的封装技术：
a.移动电话（手机）中采用的封装技术；
b.数码摄像照相机中封装技术；
c.笔记本电脑中的封装技术；
d.便携电子设备中封装的技术课题：
■减小PWB母板的面积并降低价格；
■减小高频电路及模拟电路部分的面积；
■采用系统封装；
■采用三维封装形式进一步提高封装密度；
2、超级计算机中的封装技术：
a.超级计算机中封装技术概况：超级计算机性能的提高得益于LSI的高速、高集成化，同时要求LSI封装基板具有高的引线密度、低的介电损耗、高的散热能力等；
b.回路基板及实装技术：陶瓷回路基板替代树脂印制线路板、层间导体埋孔、计算机主机用陶瓷回路基板；
c.超级计算机封装的共同特征及发展前景：各家超级计算机封装的共同特征汇总如下：
■芯片搭载在陶瓷微载体内：
在载体实装到布线板上之前，能对半导体元件进行单个测试和老化筛选；
芯片搭载在陶瓷微载体内，采用倒装片或芯片电极面朝下的TAB微互联方式；
芯片发热采用间接方式冷却，即通过陶瓷微载体上面的导热柱，再循环水散热；
陶瓷微载体实装到布线板上采用焊料凸点或butt-PGA方式钎焊连接，可拆卸返修重装；
■基础布线板为玻璃陶瓷多层共烧板： 全文 »
1、膜检测及评价技术：
a.膜检测及评价的必要性：MCM封装离不开多层板，而多层板表面的金属化层极为关键，这种金属化层无论是用于表面导体图形，还是作为电极，除了要与特定的实装形态及封装部件相匹配之外，还要实现大量的连接与键合，而且应满足工程、设备长期可靠性等诸多方面的严格要求；
b.膜的互扩散：
■膜的互扩散及扩散系数；
■膜层互扩散反应的激活能；
c.膜的内应力：
■膜层中内应力的产生机制：与基板材料比当膜材料CTE较大时产生受拉应力，较小时产生受压应力；
■膜层中的内应力：在蒸镀膜及电镀膜中存在内应力，如果其总应力大于基体绝缘层的抗弯强度，则绝缘层中可能产生裂纹，甚至使电路图形剥离；
2、信号传输特性的分析技术：
a.布线电气特性分析基础：目前人们正在开发各种类型的超高速半导体集成电路元件，其中包括约瑟夫森器件，采用GaAs的HEMT(high electron mobility transistor：高电子迁移率三极管)和MESFET(metal semiconductor field effect transistor：金属-半导体场效应三极管)、采用Si的ECL（emitter couple logic：发射极耦合逻辑）器件等，与此相关，需要研究高频信号的传输特性，以GaAs超高速器件处理的信号为例，人们正对高速脉冲的传输特性、布线间的交叉噪声特性、减少交叉噪声的措施等进行广泛的研究，此外CMOS(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)器件的高速化也取得显著进展； 全文 »
1、球栅阵列封装（BGA）—更适合多端子LSI的表面贴装式封装：
a.美国厂家采用BGA的理由：
■QFP的引线间距太窄也有不便之处；
■BGA采用二维布置的球形焊接端子；
b.塑封BGA的应用现状：
■计算机工作站推广采用塑封BGA；
■塑封BGA的应用逐渐扩大到微机及SRAM、PLD等领域；
■BGA封装的厂商十分活跃；
c.塑封BGA的发展趋势：
■端子数要超过QFP还需要解决的问题；
■为适用于高性能芯片，BGA应进一步改进；
d.如何检验塑封BGA：
■由于焊接端子间距大，能形成可靠的键合；
■在开发阶段也要配合外观检查；
■如何进行接入电路的试验；
e.使用塑封BGA应注意的问题：
■关于端子的高度偏差；
■关于封装裂纹和防潮问题；
f.BGA概念的形成：
2、BGA的类型：
a.塑封球栅平面阵列封装（PBGA）：即Plastic Ball Grid Array，也就是最开始的OMPAC（overmolded plastic array carrier），近年在普通PBGA的基础上又开发出下述几种多引脚、高性能产品：EBGA（enhanced BGA）、S-MCP（stacked multi chip package）、FC-PBGA（flip chip-PBGA）、FBGA（fine pitch ball grid array）； 全文 »
1、封装技术简介：
a.封装的必要性：裸芯片与布线板实现微互联后，需要通过封装技术将其密封在塑料、玻璃、金属或陶瓷外壳中，以确保半导体集成电路芯片在各种恶劣条件下正常工作，狭义的封装（packaging）即指该工艺过程；
b.各种封装技术及其特征：
■单芯片封装的各种封装形式：
气密封装型—金属外壳封接型、玻璃封接型、钎焊封接型
非气密封装型—传递模注塑封装型、液态树脂封装型、树脂块封装型；
■MCM的各种封装法及其特征比较：
气密性封装(hermetic sealing)—低熔点玻璃封接法、钎焊封接法、缝焊封接法、激光熔焊法；
非气密性封装（nonhermetic sealing）—树脂封装法（注型法casting 涂布法coating 浸渍法dipping 滴灌法potting 流动浸渍法）
■评估封装特征及效果的项目：拆装返修性、耐湿性、耐热性、耐热冲击性、散热性、耐机械冲击性、外形形状尺寸的适应性、大型化、价格、环保特性；
2、非气密性树脂封装技术：
a.传递模注塑封技术：
■模注树脂成分及特性：填料filler约70%、环氧树脂约18%以下、固化剂约9%以下、此外还有触媒（固化促进剂）、耦合剂、脱模剂、阻燃剂、着色剂等添加剂，其总量一般控制在3%～7%；
■填充料及添加剂对模注树脂特性的影响：可加入的填充料有晶态SiO2，α-Al2O3、熔凝SiO2（非晶态SiO2或石英玻璃）。它们对热膨胀系数、耐焊性、耐裂纹性等均有很大的影响；
■传递模注装置、模具及传递模注工艺：基本工艺如下：插入并固定芯片框架—料饼投入—树脂注入、硬化—取出模注好的封装体—160～180度数小时高温加热使聚合完全；
■模注树脂流速及粘度对Au丝偏移（冲丝）的影响：封装树脂在型腔内流动会造成微互联Au丝的偏移，偏移量同封装树脂在型腔内的流速及封装树脂在型腔内粘度有关，为了减小冲丝现象，应降低树脂的粘度，并控制封装树脂尽量缓慢地在型腔内流动； 全文 »
1、微互联技术与封装：
微电子封装技术一直追随着IC的发展而前进，一代IC，就有相关一代微电子封装相配合。毫无疑问，微电子封装技术的发展必然对微互联技术提出更高的要求。
2、钎焊材料及其浸润性：钎焊可定义为“需要连接的母材金属不熔化，在其间隙中充填熔点比母材的低、且呈熔化状态的金属或合金，经冷却固化而实现母材间的连接”
a.各种钎焊材料及其浸润性：
■各种钎焊（软钎焊及硬钎焊）材料及其熔点温度范围：焊料熔点高于450℃，这种焊料称为硬钎料（brazing filler metal），采用硬钎料的钎焊为硬钎焊（brazing），焊料熔点低于450℃，采用这种焊料的称为软钎焊（soldering）；
■Sn-Pb系焊料的特性：由锡铅构成的Sn-Pb系焊料因Sn-Pb配比不同，特性会有很大变化，其中Pb的熔点为327℃，Sn的熔点为232℃，在63Sn/37Pb的共晶焊料成份时熔点最低为183℃；
b.焊料浸润性的定义及评价方法：
■焊料浸润性的定义：焊料浸润性的好坏，可根据焊料附着于导体膜或金属表面时所形成接触角的大小来判断，焊料与膜层间的接触角越小，焊料的浸润性越好；
■焊料浸润性的评价方法：
展宽法—ASTM-B-545、JIS-Z-3197（焊料球法、焊料丸法、焊料浆料法）
浸渍法—MIL-STD-883、JIS-C-5033
接触角法—Radio Corp. of America
沉球法—ASTM-B-545
表面张力法—MIL-STD-883B 全文 »
一、陶瓷基板概论
1、机械性质：（电路布线的形成）
a.有足够高的机械强度，除搭载元器件外，也能作为支持构件使用；
b.加工性好，尺寸精度高，容易实现多层化；
c.表面光滑，无翘曲、弯曲、微裂纹等；
2、电学性能：
a.绝缘电阻及绝缘破坏电压高；
b.介电常数低、介电损耗小；
c.在温度高、湿度大的条件下性能稳定，确保可靠性；
3、热学性质：
a.热导率高；
b.热膨胀系数与相关材料匹配（特别是与Si的热膨胀系数要匹配）；
c.耐热性优良；
4、其他性质：
a.化学稳定性好、容易金属化、电路图形与之附着力强；
b.无吸湿性、耐油、耐化学药品、α射线放出量小；
c.所采用的物质无公害、无毒性、在使用温度范围内晶体结构不变化；
d.原材料资源丰富、技术成熟、制造容易、价格低； 全文 »
一、封装基板概述：
1、发展动向：
a.需求：小型、高性能、便携化、个人信息终端；
b.电子装置：小型、薄型、高性能、高周波、低价格；
c.LSI器件：多引脚、窄节距、模块化、超小元器件；
d.实装技术：超小型封装及裸芯片实装（TAB/COB/BGA/CSP/FC/MCM等）；
e.市场：手机、网络及通信设备、数码相加、微机、笔记本电脑、PDA、各类平板显示器；
f.PWB：高密度布线、薄型、更高的电气特性、更高的尺寸稳定性、更低的价格、更高的实装密度；
2、性能要求：
a.要减小信号传输延迟时间；
b.特性阻抗要匹配；
c.要尽量降低L、C、R等的寄生效应；
d.为了降低交调噪声（cross-link noise），要尽量避免信号线之间离得太近以及平行布线，同时为了减小此影响，应选用低介电常数的基板材料；
e.电路图形的设计应考虑到防止信号反射噪声；
二、封装基板分类：
1、按基材分类：按基板的基本材料，基板可以分为有机系（树脂系）、无机系（陶瓷系、金属系）及复合系三大类。其中有机系分为：
a.纸基板：
■纸、酚醛树脂覆铜板（FR-1、FR-2、XPC、XXXPC）
■纸、环氧树脂覆铜板（FR-3）
■纸、聚酯树脂覆铜板
b.玻璃布基板：
■玻璃布、环氧树脂覆铜板（FR-4、G10）
■玻璃布、耐高温环氧树脂覆铜板（FR-5、G11）
■玻璃布、聚酰亚胺树脂（PI）覆铜板（GPY）
■玻璃布、聚四氟乙烯树脂（PTFE）覆铜板
■玻璃布、BT树脂覆铜板 全文 »
一、厚膜材料：
1、厚膜导体材料：
a.厚膜导体中的导体材料分贵金属和贱金属，厚膜与基板的附着力或由导体金属自身的化学结合来实现，或由导体中添加的百分之几的玻璃来实现，对厚膜导体金属的要求主要有下述几点：
■电导率高，且与温度的相关性小；
■与玻璃不发生反应，不向厚膜介电体及厚膜电阻体中扩散；
■与介电体及电阻体的相容性好；
■不发生迁移现象；
■可以焊接及引线键合；
■不发生焊接浸蚀；
■耐热循环；
■温度变化不发生局部电池，不发生电蚀现象；
■资源丰富，价格便宜；
b.常见的厚膜导体材料：
■Ag：最大的特点是电导率高，最大的缺点是易迁移；
■Ag-Pd：使用此导体时，需要进行下述测试：电阻值或TCR、浸润性、耐焊料浸蚀性、迁移性、结合强度、热老化后的强度；
■Cu：与贵金属比，Cu具有很高的电导率、可焊接、耐迁移性、耐焊料浸蚀性都好，而且价格便宜，但是Cu在大气燃烧下容易氧化，需要在氮气氛中烧成，而氧含量应控制在几个ppm以下。另外Cu导体用于GHz高频带有其优势；
■Au：金浆料中有玻璃粘接剂型、无玻璃粘接剂型、混合结合型三种；
■金属有机化合物浆料（metallo-organic：MO浆料）：优点是便宜、所用设备投资少、可得到致密、均质、平滑的膜层、可光刻制取细线、与电阻体、绝缘体的相容性好等；缺点有：对所用基板表面平滑性要求高、对基板表面及环境的清洁度要求高、由于膜层薄、故导体电阻大、对膜层使用条件有一定要求； 全文 »
一、电子封装工程中至关重要的膜材料及膜技术
1、薄膜和厚膜：相对于三维块体材料，从一般意义上讲，所谓膜，由于其厚度尺寸很小，可以看作是物质的二维状态。在膜中又有薄膜和厚膜之分，薄膜和厚膜如何划分，有下面一些见解：
a.按膜厚对膜的经典分类认为，小于1um的为薄膜，大于1um的为厚膜；
b.按制作方法分，由块体材料制作的，例如经轧制、锤打、碾压等，为厚膜，而由膜的构成物（species）一层层堆积而成的为薄膜；
c.按膜的存在形态分类认为，只能成形于基体之上的为薄膜（包覆膜，又可分为沉积膜和化合形成膜），不需要基体而能独立成形的为厚膜（自立膜）；
d.就电子封装工程涉及的膜层而论，膜厚一般在1um到数百微米之间，按膜层的形成方法，将真空法（干式）和溶液法（湿式）沉积得到的膜层称为薄膜，而由浆料印刷法形成的膜层称为厚膜，前者膜厚多为数微米，后者膜厚多为20um上下；
e.薄膜的真空沉积法有下述优点：
■由于镀料的气化方式很多（如电子束蒸发、溅射、气体源等），通过控制气氛还可以进行反应沉积，因此可以等到各种材料的膜层；
■通过基板、镀料、反应气氛、沉积条件的选择，可以对界面结构、结晶状态、膜厚等进行控制，还可以制取多层膜，复合膜及特殊界面结构的膜层等，由于膜层表面精细光洁，故便于通过光刻制取电路图形；
■可以较方便地采用光、等离子体等激发手段，在一般的工艺条件下，即可获得在高温、高压、高能量密度下才能获得的物质；
■真空薄膜沉积涉及从气态到固态的超急冷（super-quenching）过程，因此可以获得特异成分、组织及晶体结构的物质；
■由于在LSI工艺中薄膜沉积及光刻图形等已有成熟的经验，很便于在电子封装工程中推广；
f.厚膜的丝网印刷法有下述优点：
■通过丝网印刷，可直接形成电路图形；
■膜层较厚，经烧结收缩变得致密，电阻率低，容易实现很低的电路电阻；
■导体层、电阻层、绝缘层、介电质层及其他功能层都可以印刷成膜；
■容易实现多层化，与陶瓷生片共烧可以制取多层共烧基板；
■设备简单，投资少；
2、膜及膜电路的功能：对于电子封装工程而言，膜及膜电路主要由电气连接、元件搭载、特殊功能、表面改性等四大功能； 全文 »
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《【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商》： 作为一种无机非金属矿物功能性粉体材料，硅微粉广泛应用于电子材料、电工绝缘材料、胶黏剂、特种陶瓷、精密铸造、油漆涂料、油墨、硅橡胶等领域。 目前，世界上只有中国、日本、韩国、美国等少数国家具备硅微粉生产能力... 全文 ?