1、虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的有源元件，但是需要各种其它的半导体、绝缘介质和导电层完成器件/电路的电器性能，其中的一些是通过化学气相淀积CVD和物理气相淀积PVD的方式淀积在晶圆的表面；常规的淀积层有：掺杂的硅层（外延层）、金属间的绝缘介质层（IMD）、金属间的导电连线、金属导体层和最后的钝化层；半导体薄膜的参数：
■厚度/均匀性；（高纵横比模式）
■表面平整度/粗糙度；
■组成/核粒（grain）尺寸；
■自由应力；
■纯净度；
■完整性；
■电容；（金属传导层-高传导、低电阻低电容的低k介质；绝缘介质-高电容或高k值介质）
关于low-k值和high-k值可参看另一篇日志：什么是Low-K?什么是High-K?
2、化学气相淀积CVD基础：
a.淀积（deposition）指一种材料以物理的方式沉积在晶圆表面上的工艺过程，而生长膜是从晶圆表面的材料上生长形成的； 全文 »
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《【扒一扒】日本高纯球形硅微粉材料生产商》： 作为一种无机非金属矿物功能性粉体材料，硅微粉广泛应用于电子材料、电工绝缘材料、胶黏剂、特种陶瓷、精密铸造、油漆涂料、油墨、硅橡胶等领域。 目前，世界上只有中国、日本、韩国、美国等少数国家具备硅微粉生产能力... 全文 ?