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《芯片制造半导体工艺制程实用教程》学习笔记PDF版下载

作者:anndi  发表于:2009年03月18日 13:35  分类:学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  14,036 views 
《芯片制造半导体工艺制程实用教程》学习笔记PDF版下载

前言及序言(点击链接查看之)——————————–1 第1章    半导体工业————————————–2—3 第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5 第3章    晶圆制备——————————————-6 ...

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第十六章 半导体器件和集成电路的形成

作者:anndi  发表于:2009年03月10日 16:25  分类:学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  1896 views 
第十六章 半导体器件和集成电路的形成

1、半导体器件的生成:电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体; 2、电阻器:掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器; 3、电容器:氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器(stacked capacitor); 4、二极管:掺杂二极管(击穿电压breakdown)、Schottky barrier二极管(欧姆接触); 5、晶体管:双极型晶体管(transfer resistor)、Schottky barrier双极型晶体管; 6、场效应晶体管(FET):金属栅型MOS场效应晶体管、硅栅极型MOS、多晶硅...

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第五章 污染控制

作者:anndi  发表于:2009年01月07日 15:22  分类:学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,744 views 
第五章 污染控制

第五章 污染控制 1、半导体器件极易受到多种污染物的损害:微粒、金属离子、化学物质、细菌; 微粒:1cm=10000um, 人的头发直径约为100um,微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10 倍;(1994年SIA将0.18um设计的光刻操作的缺陷密度定为0.06um下的135个) 金属离子:可移动离子污染物(MIC),Na是最常见之一;化学品:以氯为代表; 2、污染引起的问题:器件工艺良品率、器件性能、器件可靠性; 3、污染源:空气、厂务设备、洁净室工作人员、工艺使用水、工艺化学...

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第二章 半导体材料和工艺化学品

作者:anndi  发表于:2008年12月15日 14:04  分类:学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,695 views 
第二章 半导体材料和工艺化学品

第二章 半导体材料和工艺化学品 1、原子结构:电子 质子 中子 空穴(未填充电子的位置) 任何原子中都有数量相等的质子和电子;任何元素都包括特定数目的质子,没有任何两种元素有相同数目的质子;有相同最外层电子数的元素有着相似的性质;最外层被填满或者拥有8个电子的元素是稳定的;原子会试图与其他原子结合而形成稳定的条件。 2、导电率 C=1/ρ    ρ为电阻率,单位为欧姆·厘米  Ω·cm 3、电容:把一层绝缘材料夹在两个导体之间就形成的一种电子元件,电容的实际效应...

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第一章《半导体工业》

作者:anndi  发表于:2008年12月08日 16:22  分类:学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,408 views 
第一章《半导体工业》

第一章《半导体工业》   1、电子数字集成器和计算器(ENIAC) 18000个真空三极管,70000个电阻,10000个电容,6000个开关,耗电150000W,成本约400000美元 重30吨,占地140平方米 宾夕法尼亚的摩尔工程学院于1947年进行公开演示; 2、晶体管(transistor)-传输电阻器。 John Bardeen, Walter Brattin, William Shockley共同荣获1956年诺贝尔物理奖; 3、每个芯片中只含有一个器件的器件称为分立器件(晶体管、二极管、电容器、电阻器) 4、集成电路(integrated circui...

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