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第十章 高级光刻工艺

作者：anndi  发表于：2009年02月06日 09:24  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,527 views 
第十章 高级光刻工艺

1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题： 光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题； 使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像（aerial images）有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片表面问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题； 2、光学系统分辨率控制：（光刻分辨率工艺路线图） I线→I线+ARI→I线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSM→I线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAI→I线+PS...

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第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

作者：anndi  发表于：2009年02月04日 08:45  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,774 views 
第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

1、显影：通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。 a.负光刻胶显影：二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗； b.正光刻胶显影：碱（氢氧化钠或氢氧化钾）+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液（TMAH）; c.湿法显影： 沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等； 喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却（adiabatic cooling）； 混凝-是用以获得...

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第八章 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光

作者：anndi  发表于：2009年02月02日 16:21  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,906 views 
第八章 基本光刻工艺流程—从表面准备到曝光

1、光刻工艺是一种用来去掉晶圆表面层上所规定的特定区域的基本操作（Photolithography、Photo masking、Masking、Oxide、Metal Removal-OR,MR、Microlithography） 分辨率-resolution 特征图形尺寸-feature size 图像尺寸-image size 定位图形-Alignment or Registration 聚合-polymerization 抗刻蚀的-etch resistant or Resist or Photoresist 亮场掩膜版-clear field mask 光溶解-photosolubilization； 负胶+亮场或正胶+暗场形成空穴； 负胶+暗场或正胶+亮场形成凸...

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