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《芯片制造半导体工艺制程实用教程》学习笔记PDF版下载

作者：anndi  发表于：2009年03月18日 13:35  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  14,272 views 
《芯片制造半导体工艺制程实用教程》学习笔记PDF版下载

前言及序言（点击链接查看之）——————————–1 第1章    半导体工业————————————–2—3 第2章    半导体材料和工艺化学品————————–4—5 第3章    晶圆制备——————————————-6 ...

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第十八章 封 装

作者：anndi  发表于：2009年03月17日 08:43  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,191 views 
第十八章 封 装

1、影响封装工艺的芯片特性： a.集成度、晶片厚度、尺寸、对环境的敏感度、物理的脆弱度、热的产生、热敏感度； b.影响封装工艺的环境和物理因素可以从两个方面来阐述，第一是临近晶片制造工艺结尾处的钝化层淀积（主要是氧化硅和氮化硅及掺杂一些硼、磷或两者兼备），第二种保护芯片的方法就是提供一个封装体； c.封装设计要考虑散热的因素，热同样也是封装工艺中的一项重要参数，封装工艺的耐热极限是450度； 2、封装功能和设计： a.紧固的引脚系统 b.物理性保护 c.环...

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第十七章 集成电路的类型

作者：anndi  发表于：2009年03月12日 11:08  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,119 views 
第十七章 集成电路的类型

1、大多数电路按其特定的设计原理和功能可以分成三种基本类型：逻辑电路、存储电路和微处理器（逻辑与存储），电路的多样性主要来自于大量特殊用途参数的转变； 2、电路基础：在电路中，数字由二进制码来编码、存储和操作，这都是因为电容可以通过充电得到一个电荷或没有电荷，晶体管也可以开或关，电路中记录信息的最小单位称为“二进制数”或“位”，8位称为一个字节； 3、集成电路的类型： a.逻辑电路： ■模拟-数字逻辑电路 ■模拟逻辑电路 RTL  电阻器-晶体管逻辑 DTL  二...

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第十六章 半导体器件和集成电路的形成

作者：anndi  发表于：2009年03月10日 16:25  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  1970 views 
第十六章 半导体器件和集成电路的形成

1、半导体器件的生成：电阻器、电容器、二极管、晶体管、熔断器、导体； 2、电阻器：掺杂型电阻器、EPI电阻器、Pinch电阻器、薄膜电阻器； 3、电容器：氧化硅电容器、结电容器、沟槽电容器、堆叠电容器（stacked capacitor）； 4、二极管：掺杂二极管（击穿电压breakdown）、Schottky barrier二极管（欧姆接触）； 5、晶体管：双极型晶体管（transfer resistor）、Schottky barrier双极型晶体管； 6、场效应晶体管（FET）：金属栅型MOS场效应晶体管、硅栅极型MOS、多晶硅...

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第十五章 晶圆加工中的商务因素

作者：anndi  发表于：2009年03月05日 14:56  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,247 views 
第十五章 晶圆加工中的商务因素

1、制造和工厂经济： 尽管有在工艺、成本以及市场方面的诸多变化，衡量芯片制造领域的财政状况的方法依然相同：即对于芯片厂售出的有功能的芯片，每片的成本如何（the cost per functioning die shipped out of fabrication）等；在因拥有了封装能力而完全扩展为商业工厂后，衡量方式又变成每一片售出的芯片成本（the cost per die shipped）；在百万级的集成电路世界，每个晶体管的成本正成为一个指示参数。 2、晶圆的制造成本： a.固定成本： ■管理费用（行政人员数量...

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第十四章 工艺和器件评估

作者：anndi  发表于：2009年03月02日 11:50  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,105 views 
第十四章 工艺和器件评估

1、从工艺控制和改进的观点来看，关于测量的收集分为三大类：一是包括对测试晶圆和实际器件电性的测量；二是直接测量某些物理参数例如层的厚度、宽度、组成等等；三是测量晶圆和材料内部的污染； 2、晶圆的电性测量： a.电阻和电阻率及其测量：四探针测试仪（还可测试方块电阻及导电层厚度） b.掺杂浓度、深度图解法（扩散电阻、阳极氧化技术） c.二次离子质谱法（SIMS） d.差动霍尔效应（DHE） e.氧化层击穿（BVox或击穿电压、GOI） f.物理测试方法（FIB） 3、晶圆层厚...

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第十二章 淀积

作者：anndi  发表于：2009年02月23日 14:42  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,291 views 
第十二章 淀积

1、虽然掺杂的区域和PN结形成电路中的有源元件，但是需要各种其它的半导体、绝缘介质和导电层完成器件/电路的电器性能，其中的一些是通过化学气相淀积CVD和物理气相淀积PVD的方式淀积在晶圆的表面；常规的淀积层有：掺杂的硅层（外延层）、金属间的绝缘介质层（IMD）、金属间的导电连线、金属导体层和最后的钝化层；半导体薄膜的参数： ■厚度/均匀性；（高纵横比模式） ■表面平整度/粗糙度； ■组成/核粒（grain）尺寸； ■自由应力； ■纯净度； ■完整性； ■电容；（金属传...

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第十一章 掺杂

作者：anndi  发表于：2009年02月18日 09:30  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,207 views 
第十一章 掺杂

1、结的定义：结（junction）就是富含电子区域（N型区）与富含空穴区域（P型区）的分界处，具体位置就是电子浓度和空穴浓度相同的地方，靠热扩散或离子注入可形成结； 2、掺杂区和结的扩散形成： a.扩散：是一种材料通过另一种材料的运动，是一种自然的化学过程。两个必要条件一是一种材料的浓度必须高于另外一种材料的浓度，其次是系统内部必须有足够的能量使高浓度的材料进入或通过另一种材料； b.NP结：掺杂区中N型原子的浓度较高，反之PN结掺杂区中P型原子的浓度较高...

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第十章 高级光刻工艺

作者：anndi  发表于：2009年02月06日 09:24  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,527 views 
第十章 高级光刻工艺

1、ULSI/VLSI集成电路图形处理过程中存在的问题： 光学曝光设备的物理局限、光刻胶分辨率的限制、许多与晶片表面有关的问题； 使用光学光刻技术解析0.5微米和0.3微米的图形需要对虚像（aerial images）有很好的控制，控制方法主要从三个方面入手：光学系统分辨率、光刻胶分辨率和晶片表面问题，第四个方面是刻蚀图形定义问题； 2、光学系统分辨率控制：（光刻分辨率工艺路线图） I线→I线+ARI→I线+OAI/深紫外光/深紫外光+OAI或PSM→I线+ OAI或PSM/深紫外光+ARI或OAI→I线+PS...

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第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

作者：anndi  发表于：2009年02月04日 08:45  分类：学习笔记, 芯片制造工艺制程实用教程  11,774 views 
第九章 基本光刻工艺流程—从曝光到最终检验

1、显影：通过对未聚合光刻胶的化学分解来使图案显影，显影技术被设计成使之把完全一样的掩膜版图案复制到光刻胶上。 a.负光刻胶显影：二甲苯或stoddart溶剂显影，n-丁基醋酸盐冲洗； b.正光刻胶显影：碱（氢氧化钠或氢氧化钾）+水溶液、或叠氮化四甲基铵氢氧化物的溶液（TMAH）; c.湿法显影： 沉浸-增加附属方法提高显影工艺，机械搅动、超声波或磁声波等； 喷射-对负胶而言是标准工艺，对温度敏感的正胶却不是很有效，隔热冷却（adiabatic cooling）； 混凝-是用以获得...

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